產品中心
Product Center
熱門搜索:
美國EDAX能譜儀
EP6美國 Cascade Microtech EP6探針臺
TEM氮化硅薄膜窗口
NTEGRAPrima俄羅斯產全功能掃描探針原子力顯微鏡
Zeta-20三維光學輪廓儀
主動隔振臺ARISTT
石英/硅/聚合物模板高分辨率納米壓印模板(Mold for nanoimprint lithography)
iNano高精度臺式納米壓痕儀
P170全自動晶圓探針式輪廓儀/臺階儀
PLD/Laser-MBE脈沖激光沉積/分子束外延聯用系統
納米團簇束流沉積系統
P7晶圓探針式輪廓儀/臺階儀
Lumina光學表面缺陷分析儀
Profilm 3D經濟三維光學輪廓儀 可測樣
Solver P47俄羅斯產高性價比掃描探針顯微鏡原子力
納米壓印膠

產品簡介
碳化硅SiC長晶設備是實現高質量SiC晶體生長、高純度原料合成、高溫晶體熱處理的專業設備。廣泛應用于SiC晶體生長、原料合成、晶體熱處理領域。可以生長6/8英寸的晶錠。
| 品牌 | 其他品牌 |
|---|
碳化硅SiC長晶設備
是實現高質量SiC晶體生長、高純度原料合成、高溫晶體熱處理的專業設備。廣泛應用于SiC晶體生長、原料合成、晶體熱處理領域。可以生長6/8英寸的晶錠。
碳化硅SiC長晶設備

真空爐腔系統較為限本底真空值達到≤5.0E-5Pa,升壓率≤3Pa/12h,保證晶體生長的穩定性
.智能化生長及監測系統,實現多種制程精確定制,工藝優化,長晶全過程實時監控,數據可視化存檔
.新型感應加熱線圈設計,有效提高熱場加熱的均勻性和穩定性
.業內1st創的PIM自檢系統,有效減免制程時間浪費
.穩定可靠的水冷系統,實現了水道管路溫度、流量的實時監控,保證了生長室溫場的穩定性
.可生產6英寸P級碳化硅襯底,微管缺陷密度<0.5個/cm2,電阻率達0.015-0.0280